Technologiepark

Kunden erhalten bei uns ein einzigartiges und umfangreiches Angebot für die Fehleranalyse und Werkstoffcharakterisierung. Zeit- und kostensparend in einem einzigen Zentrum zusammengefasst, unter Leitung eines engagierten und serviceorientierten Teams, das über ausgezeichnete Kenntnisse werkstoffbedingter Probleme in der Mikroelektronik verfügt. Dazu kommt eine technische Ausstattung auf höchstem Niveau - das Fraunofer IMWS verfügt innerhalb der Fraunhofer-Gemeinschaft über die umfassendste Ausstattung zur Mikrostrukturaufklärung.

Zerstörungsfreie Defektlokalisierung

  • Rasterakustomikroskopie (MHz, GHz)
  • Lock-In- und Puls-Phasen-Thermographie
  • Röntgenanalyse und 3D-Tomographie

Zielpräparationstechniken

  • Delayering (CMP)
  • Metallographische Präparation und chemisches Entkapseln
  • Einsatz von Laserstrahlen zum Entkapseln und Herstellen von Querschliffen
  • Einsatz von Ionenstrahlen zum Herstellen von Querschliffen und Polieren
  • Lokal begrenzte maschinelle Schleifverfahren, Präparation von der IC-Rückseite aus
  • Kryo-Ultramikrotomie, Rotationsmikrotomie

Focused-Ion-Beam-Verfahren und Elektronenmikroskopie

  • Hochleistungs-FIB-System und chem. Einätzen von Gräben in Si, integriertes IR-Mikroskop
  • Crossbeam-FIB-System mit EDX und EBSD
  • Crossbeam-FIB-System für das TEM-Lift-out-Verfahren
  • ESEM-FIB-System mit Kryotransfer
  • Energiearme Ar-FIB-Techniken zur Probenendbearbeitung für TEM-Untersuchungen
  • verschiedene hochauflösende REM mit elektrischer in-situ-Antastung und EBIC/EBAC
  • Analytische REM mit EBSD, EDX, WDX
  • Environmental SEM (ESEM) mit in-situ-Untersuchungen und Temperaturstufen
  • TEM (200 kV) mit ns-EDX und in-situ-Untersuchungen
  • TEM (200 kV) mit ns-EDX, EELS, NBD
  • EF-TEM (60-300 kV) mit Cs-Korrektur, EDX, EELS, HAADF, STEM  

Oberflächen- und Spurenanalytik

  • Rasterkraftmikroskopie (AFM)
  • Photoelektronen- , UV- und Augerelektronen-Spektroskopie (XPS/UPS, AES)
  • Flugzeit-Sekundärionen-Massenspektrometrie (TOF-SIMS)
  • Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-MS)
  • Kontaktwinkelmessungen

Kristallographie und optische Spektrometrie

  • Mikroröntgenbeugung (XRD)
  • Elektronenrückstreubeugung (EBSD)
  • IR-, Licht- und Fluoreszenzmikroskopie
  • UV/VIS-, Fluoreszenz- und FTIR-Spektroskopie
  • Mikro-Ramanspektroskopie
  • Elektro-/ Photolumineszenz
  • IR-Doppelbrechungsuntersuchungen (für Si-Bauelemente)

Oberflächentopographie und -verformung

  • Mechanische Profilometrie
  • Laserrastermikroskopie
  • Weißlichtinterferometrie
  • Elektronische Speckle-Interferometrie (ESPI)
  • Bildkorrelationssysteme für die 3D-Verformungsanalyse
  • Waferverbiegung und Dickenschwankungen

Polymercharakterisierung

  • Dynamische Differenzkalorimetrie (DSC)
  • Dynamisch-mechanische Analyse (DMA)
  • Thermogravimetrie (TGA) mit FTIR
  • Thermomechanische Analyse (TMA, Dilatometrie)
  • Wärmeleitfähigkeitsanalyse (TCA, Laserflash)
  • Rheometrie

Mechanische Prüfung und Bewertung

  • Statische und dynamische Materialprüfmaschinen bis in den mN-Lastbereich
  • Nanoindentierung (T-abhängig) und Mikro-Härteprüfung
  • Zug- und Scher-Tester für die mikroelektronische Verbindungstechnik
  • Individualisierte MEMS, piezogetriebene Ermüdungsversuche und Wafer-Kontakt-Prüfungen
  • MEMS-Analytik inklusive Laservibrometrie, Stroboskop-Video-Mikroskopie und Weißlicht-Interferometrie
  • Elektrische Prüfstation, Parameteranalyse
  • Hochdurchsatzspeicher-, Thermoschock-,Feuchtigkeits- und Schütteltests
Erweiterung Technologiepark Neuheit
© Foto Fraunhofer IMWS

Das Transmissionselektronenmikroskop Titan G2 60-300 der FEI Company.