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Laser-Triangulationsmessung der Oberflächenverformung eines Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) unter thermischer Belastung. Diese Methode zur Verformungsmessung ermöglicht die Ermittlung der intrinsischen und thermomechanischen Spannungen im Halbleiter und der Fügeverbindung nach dem Sinter- und Lötprozess.
Triangulation Testaufbau
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