Physikalische Fehleranalyse

Qualitätssicherung und Strukturanalyse für Halbleiterbauteile

Integrierte Schaltkreise auf Siliziumsubstraten werden heute in fast allen elektronischen Geräten unseres Alltages verwendet. Zukunftstechnologien wie autonomes Fahren, Elektromobilität oder das Internet der Dinge benötigen immer leistungsfähigere und komplexere elektronische Bauelemente und Systeme. Neben einer immer weiter fortschreitenden Miniaturisierung und der damit verbundenen Leistungssteigerung sowie der Kosteneffizienz spielt auch die Steigerung der Robustheit, vor allem für kritische Anwendungen, eine wichtige Rolle. Mit der stetig wachsenden Komplexität der Systeme und den steigenden Anforderungen an Lebensdauer und Zuverlässigkeit, stellen sich auch neue Herausforderungen im Bereich der Qualitätssicherung und der dafür zwingend notwendigen Strukturanalyse.

 

Wir bieten unseren Kunden einen individuell angepassten Analyseprozess

© Fraunhofer IMWS
TEM-Abbildung einer Transistorstruktur mit elektrisch aktiven Kristalldefekten

Wir bieten unseren Kunden eine komplette Fehleranalysekette – von der Präparation der Proben über Strukturanalyse sowie chemische und elektrische Charakterisierung bis hin zur Simulation. Dabei steht die Orientierung am Bedarf unserer Kunden und deren aktive Einbeziehung in den Analyseprozess mittels entsprechender Fehleranamnese und einer Klärung der bisherigen Fehlerhistorie anhand von bereits vorliegenden Analyseergebnissen im Vordergrund.

Was Sie erwarten können: eine bedarfsorientierte Fehleranalyse

Wir unterstützen und begleiten unsere Partner:

  • mit unserem fundierten Fachwissen im Bereich der Silizium-Technologie
  • bei der Auswahl der richtigen Methodik zur zielgerichteten Fehleranalyse
  • bei der komplexen Material- und Fehlercharakterisierung elektronischer Bauteile aus den Anwendungsbereichen Automotive, RF und Leistungselektronik
  • bei der Entwicklung von Präparationsverfahren auf der Basis von fokussierten Ionenstrahlen (FIB)
  • durch die schnelle und zielgerichtete Abarbeitung ihrer Fragestellung

Ihr Nutzen: zuverlässigere und robustere Produkte

Unsere Kunden profitieren von einer Steigerung der Zuverlässigkeit und Robustheit ihrer Produkte sowie einer dadurch verbesserten Kosteneffizienz. Wir unterstützen unsere Kunden bei der Optimierung der anwendungsorientierten Fertigungsprozesse.

Leistungsangebote

 

Lokalisierung von elektrischen Defekten

 

Prozesscharakterisierung und Fehlerdiagnostik

 

Entwicklung von Analysetechniken

Publikationen

Jahr/Year Titel/Autor Title/Author
2023

Backside Analysis Strategy to Identify a Package Related Failure Mode at an Automotive Magnetic Sensor Device  

M. Simon-Najasek; F. Naumann; S. Huebner; M. Lejoyeux; F. Altmann; A. Lindner

2022

Flyer: Physikalische Fehleranalyse

2021

Local metal segregation as root cause for electrical shorts in highly doped pressure sensor devices

Simon-Najasek, M.; Diehle, P.; Große, C.; Hübner, S.; Brokmann, G.; Sprenger, B.; Sprenger, B.; Altmann, F.
2020

On-Wafer Fast Evaluation of Failure Mechanism of 0.25-mm AlGaN/GaN HEMTs: Evidence of Sidewall Indiffusion

Rzin, M.; Meneghini, M.; Rampazzo, F.; Zhan, V.G.; Marcon, D.; Grünenpütt, J.; Jung, H.; Lambert, B.; Riepe, K.; Blanck, H.; Graff, A.; Altmann, F.; Simon-Najasek, M.; Poppitz, D.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
2019

Non-invasive soft breakdown localisation in low k dielectrics using photon emission microscopy and thermal laser stimulation

Herfurth, N.; Wu, C.; Beyreuther, A.; Nakamura, T.; Wolf, I. de; Simon-Najasek, M.; Altmann, F.; Croes, K.; Boit, C.
2019

Adaptive low-temperature covalent bonding of III-nitride thin films by extremely thin water interlayers

Gerrer, Thomas; Graff, Andreas; Simon-Najasek, Michél; Czap, Heiko; Maier, Thomas; Benkhelifa, Fouad; Müller, Stefan; Nebel, Christoph E.; Waltereit, Patrick; Quay, Rüdiger; Cimalla, Volker
2017

High resolution physical analysis of ohmic contact formation at GaN-HEMT devices

Graff, A.; Simon-Najasek, M.; Altmann, F.; Kuzmik, J.; Gregusová, D.; Hascík, S.; Jung, H.; Baur, T.; Grünenpütt, J.; Blanck, H.
2016

Novel failure mode of chip corrosion at automotive HALL sensor devices under multiple stress conditions

Simon-Najasek, M.; Lorenz, G.; Lindner, A.; Altmann, F.