Michél Simon-Najasek

Forschungsschwerpunkte

 

• Halbleitertechnologien auf Basis von Silizium und III-V Halbleiterbauelementen
  
• Aufklärung prozess- und einsatzbedingter struktureller und elektrischer Defektmechanismen mit Schwerpunkt in der Automobilelektronik (vollständige Analysekette über Defektlokalisierung,
  -präparation und -analyse)
• Bewertung von Degradationsmechanismen GaN-basierter HEMT-Transistoren
• Weiterentwicklung Diagnostik-spezifischer Präparations- und Analyseverfahren
• höchstauflösende strukturelle und chemische Analytik auf Halbleiterebene in Forschung und Entwicklung

 

Werdegang

 

Seit 03/2017

Teamleiter »Physikalische Fehleranalyse«, Fraunhofer IMWS

Seit 01/2012

stellvertretender Gruppenleiter »Halbleiterdiagnostik«, Fraunhofer IMWS

Seit 2003

Tätigkeit am Fraunhofer IMWS im Bereich IC-Diagnostik

1998 – 2002

Studium der Elektrotechnik an der Fachhochschule Köthen, Vertiefung Elektrotechnologien und Umwelttechnik (ETU)

2000 – 2001

Einjähriges Studium an der Coventry University in Großbritannien im Rahmen eines Austauschstudiums (Abschluss »Bachelor of Engineering«)

 

Preise und Auszeichnungen

 

2019

Best Paper Award des IEEE International Reliability Physics Symposiums (IRPS) für »New Access to Soft Breakdown Parameters of Low-k Dielectrics Through Localisation-Based Analysis« (gemeinsam mit weiteren Autorinnen und Autoren)

2018

Supplier-Award der Firma Micronas-TDK (gemeinsam mit Frank Altmann)

2016

Best Paper des ESREF Best Paper Award Committee für »Correlation of gate leakage and local strain distribituion in GaN/AlGaN HEMT structures« (gemeinsam mit Andreas Graff, David Poppitz und Frank Altmann)

2014

Outstanding Paper des 40th International Symposiums für Testing and Failure Analysis (ISTFA) für »Advanced FIB sample preparation techniques for high resolution TEM investigations of HEMT device structures« (gemeinsam mit Frank Altmann und Jörg Jatzkowski)

2014

Best Paper des ESREF Best Paper Award Committee für »Advanced FIB sample preparation techniques for high resolution TEM investigations of HEMT device structures« (gemeinsam mit Frank Altmann, Susanne Hübner und Andreas Graff)

2002

Karl-Hermann Zipp Preis der Fachhochschule Köthen für Abschluss als Jahrgangsbester des Fachbereiches Elektrotechnik

 

Publikationen

 

Ausgewählte Artikel in Fachzeitschriften mit wissenschaftlicher Qualitätskontrolle

Local metal segregation as root cause for electrical shorts in highly doped pressure sensor devicesM. Simon-Najasek, P. Diehle, Ch. Große, S. Hübner, G. Brokmann, B. Sprenger, F. Altmann

Microelectronics reliability 127 (2021)

 

Adaptive low-temperature covalent bonding of III-nitride thin films by extremely thin water interlayers

Gerrer, T.; Graff, A.; Simon-Najasek, M.; Czap, H.; Maier, T.; Benkhelifa, F.; Müller, S.; Nebel, C. E.; Waltereit, P.; Quay, R.; Cimalla, V.

Applied Physics Letters 114 (2019), Nr.25, Art. 252103, 5 S.

 

Novel failure mode of chip corrosion at automotive HALL sensor devices under multiple stress conditions

Simon-Najasek, M.; Lorenz, G.; Lindner, A.; Altmann, F.

Microelectronics reliability 64 (2016), S.248-253

 

Correlation of gate leakage and local strain distribution in GaN/AlGaN HEMT structures

Broas, M.; Graff, A.; Simon-Najasek, M.; Poppitz, D.; Altmann, F.; Jung, H.; Blanck, H.

Microelectronics reliability 64 (2016), S.541-546

 

Advanced FIB sample preparation techniques for high resolution TEM investigations of HEMT structures

Simon-Najasek, M.; Huebner, S.; Altmann, F.; Graff, A.

Microelectronics reliability 54 (2014), Nr.9-10, S.1785-1789