Laserbasierte Vorbearbeitung:
Zu Beginn des Prozesses wird die Probe mit einem leistungsstarken Ultrakurzpulslaser im Bereich von Femtosekunden bearbeitet. Das bietet die Möglichkeit, Material gezielt zu entfernen, nahezu ohne thermische Schäden oder Mikrorisse zu verursachen. Die mit dem Laser zu bearbeitende Probengröße kann dabei im Größenbereich von einigen wenigen Zentimetern liegen. Anders als bei herkömmlichen Lasern, die Wärme in das Material einbringen können, arbeiten Ultrakurzpulslaser mit minimaler Energieeinbringung, wodurch empfindliche Materialgrenzen geschont werden. Der Laserabtrag eignet sich besonders für die gezielte Vorbereitung von Proben mit größeren Volumina oder stark variierenden Materialeigenschaften. Die Flexibilität des Laserprozesses ermöglicht weiterhin eine Freilegung tiefer liegender Strukturen, wie z. B. von Kontakten (Durchkontaktierungen – TSVs) oder das gezielte Entfernen und Freilegen von Leiterbahnen in Halbleiterstrukturen (z. B. Systems-in-Packages – SiP) für eine spätere umfassende Analyse.
Ionenstrahlpolitur für Feinbearbeitung:
Nach der Laserbearbeitung erfolgt die Glättung und Verfeinerung der Probenoberfläche mit einem breiten Ionenstrahl. Hierbei werden mittels Argon-Ionen hochwertige und nahezu artefaktfreie Querschnitte erzeugt. Die Ionenstrahlpräparation ermöglicht dabei eine Bearbeitung in einer Breite von 1 bis 5 Millimetern, maximal bis zu 8 Millimetern. Dieser Schritt ist besonders wichtig, um feinste Strukturen und Materialübergänge für nachfolgende hochauflösende Analysen, wie z. B. REM, EDX, EBSD sowie auch Nanoindentation, sichtbar zu machen.
Optionale Endbearbeitung und Anpassung:
In einigen Fällen kann eine zusätzliche Nachbearbeitung erforderlich sein, etwa die lokale Präparation spezifischer Bereiche mit einem fokussierten Ionenstrahl (FIB). Dies ermöglicht die noch gezieltere Bearbeitung im Mikrometer- oder Nanometerbereichen, um spezifische Details wie Poren, Risse oder Schichtgrenzen sichtbar zu machen. Darüber hinaus können an den erzeugten Querschnitten bei Bedarf sehr gezielt elektronentransparente Lamellen für die höchstauflösende TEM-Analyse bereitgestellt werden.
Die Kombination dieser Technologien erlaubt es, Proben in kurzer Zeit, gezielt und mit hoher Präzision aufzubereiten. Zudem kann der Workflow gegenüber metallografischen Präparationsroutinen einfacher an Anforderungen wie beispielsweise unterschiedliche Probengeometrien, Materialien oder Analyseziele angepasst werden.