Im EU-geförderten Projekt »UltimateGaN« forschten 26 Partner aus neun europäischen Ländern gemeinsam an der nächsten Generation von Leistungshalbleitern auf Galliumnitrid (GaN)-Basis. Das Konsortium aus Industrie- und Forschungspartnern entwickelte kompakte, kosten- und energieeffiziente Bauelemente auf Basis von Galliumnitrid, die besonders in den Bereichen der intelligenten Mobilität, der intelligenten Stromnetze und der 5G-Kommunikation neue Möglichkeiten eröffnen.
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