Profil
Frank Altmann, Leiter Geschäftsfeld Werkstoffe und Bauelemente der Elektronik
Forschungsschwerpunkte
- Physikalische Fehleranalyse und Technologiebewertung von Si-basierten Halbleitertechnologien
- Degradation von GaAs- und GaN-basierten High Electron Mobility Transistoren
- Zielpräparationstechniken basierend auf fokussierender Ionenstrahltechnik
- Rasterelektronenmikroskopische Verfahren zur Defektlokalisierung in integrierten Schaltungen
- Fehlerdiagnostikverfahren für 3D-integrierte mikroelektronische Bauelemente
- Charakterisierung von organischen Halbleiterbauelementen und LEDs
Werdegang
Wissenschaftlicher Werdegang
2019 bis heute
Leiter des Geschäftsfelds »Werkstoffe und Bauelemente der Elektronik«, Fraunhofer-Institut für Mikrostruktur von Werkstoffen und Systemen IWMS, Halle (Saale)
2010 bis heute
Stellvertretender Leiter des Geschäftsbereichs »Komponenten in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik«, Fraunhofer-Institut für Mikrostruktur von Werkstoffen und Systemen IWMS, Halle (Saale)
2007 bis heute
Dozent an der Fachhochschule Merseburg im Masterstudiengang »Mechatronik, Wirtschaftsingenieurwesen, Physikalische Technik«, Veranstaltungen: »Einführung in die Mikrosystemtechnik«,»Design, Zuverlässigkeit und Diagnose von Mikrosystemen«
2006 bis heute
Gruppenleiter »Diagnostik von Halbleitertechnologien«, Fraunhofer-Institut für Mikrostruktur von Werkstoffen und Systemen IWMS, Halle (Saale)
2001-2006
Projektleiter in der Gruppe »Diagnostik von Halbleitertechnologien«, Fraunhofer-Institut für Mikrostruktur von Werkstoffen und Systemen IWMS, Halle (Saale)
1997-2001
Wissenschaftlicher Mitarbeiter in der Gruppe »Diagnostik von Halbleitertechnologien«, Fraunhofer-Institut für Mikrostruktur von Werkstoffen und Systemen IMWS, Halle (Saale)
1991-1996
Studium der Physik (Diplom Physiker) an der Technischen Universität Dresden, Thema der Diplomarbeit: »Messung der mechanischen Belastung in Mikrobauteilen mit konvergenter Beugung in TEM«, in Kooperation mit dem Fraunhofer IWMH, 1996
Preise und Auszeichnungen
2016
Best Paper ESREF 2016 Mikael Broas et. al. »Correlation of gate leakage and local strain distribution in GaN/AlGaN HEMT structures« 22.09.2016, Halle (Saale)
2015
Hugo-Junkers-Preis »Fehlerdetektion in höchstintegrierten mikroelektronischen Systemen mittels Lock-in-Thermographie«, Merseburg
2014
Best Paper ESREF 2014 Michél Simon-Najasek et.al. »Advanced FIB sample preparation techniques for high resolution TEM investigations of HEMT device structures« 02.10.2014, Berlin
2014
Outstanding Paper at 40th International Symposium for Testing and Failure Analysis 2014 Jörg Jatzkowski et.al. »Localization of weak points in thin dielectric layers by electron beam absorbed current (EBAC) imaging«, Houston, Texas/USA
2012
Outstanding Paper at 37th International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA 2011) R. Schlangen et. al. »Use of lock-in thermography for non-destructive 3D defect localization on system in package and stacked-die technology« 12.11.2012, Phoenix, AZ, USA
2010
Best Session Paper Award der Electronic Components and Technology Conference ECTC 2010 Michael Krause et. al. »Characterization and failure analysis of TSV interconnects: From non-destructive defect localization to material analysis with nanometer resolution«