Fraunhofer-Institut für Mikrostruktur von Werkstoffen und Systemen IMWS
µTLM-Struktur-Schema und Lichtmikroskopaufnahme
Die Messung des spezifischen Widerstands hochohmiger Schichten, die sich auf Schichten oder Substraten mit niedrigerem Schichtwiderstand befinden, ist eine zentrale Frage in der Prozess- und Qualitätskontrolle der Mikroelektronik und Dünnschichttechnologie.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Dimensionierung von mikroskopischen TLM-Strukturen (Transferlängen-Methode), das die Bestimmung des spezifischen Widerstands der hochohmigen Schicht direkt im Schichtstapel ermöglicht, sowie die dafür erforderliche Teststruktur und geeignete Präparationsverfahren.
Veröffentlichungsnummer: DE 10 2014 211 352